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    • 专利摘要:
    揭露了一種單晶矽晶圓以及製備該單晶矽晶圓的方法。更特別的是，本發明揭露了一種結晶矽晶圓以及製備該結晶矽晶圓的方法，該結晶矽晶圓具有由多個金字塔構成的表面，其中每個金字塔具有從該金字塔的頂點延伸至底部的曲面，以最大化陽光吸收，並大大地減少光反射，藉此改進光轉換效率。
    公开号:TW201307621A
    申请号:TW101120055
    申请日:2012-06-05
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Hyung-Pyo Hong；Myun-Kyu Park；Jae-Yun Lee；Young-Jun Jin
    申请人:Dongwoo Fine Chem Co Ltd；
    IPC主号:H01L31-00
    专利说明:
    單晶矽晶圓及其製備方法
    相關申請案此申請案主張於2011年6月7日向韓國智慧財產局申請的韓國專利申請案編號10-2011-0054569、2012年6月1日申請的韓國專利申請案編號0-2012-0059142以及2012年6月4日申請的韓國專利申請案編號10-2012-0059966的優先權，其全部揭露內容併入於本文中以作為參考。本發明有關一種能夠最大化陽光吸收同時大量的減少光反射以進一步增加光轉換效率的單晶矽晶圓，以及該單晶矽晶圓的製備方法。
    近年來，太陽能電池（一般已知為「電池(cell)」）已迅速地普及，且熟知為下個世代的能源來源，以及為一種直接將乾淨的能源(即，陽光)轉變成電力的電子裝置。這種裝置典型地包括PN接面半導體基板，其中具有硼加入於矽中的P型矽半導體為基礎材料，並將磷擴散至該基礎材料的表面上以形成N型矽半導體層。當例如陽光的光照射於具有由PN接面形成的電場的基板時，半導體中的電子（-）以及電洞（+）被激發並於其中自由地移動。如果這些移動的電荷在移動期間進入由該PN接面形成的電場，則該電子（-）移至N型半導體，且該電洞（+）移至P型半導體。在該P型半導體以及N型半導體表面上分別形成電極，且電子沿著外部電路流動的例子中，會發生電流的產生。基於這種原理，可將太陽能轉變成電能。因此，為了增加太陽能轉換效率，應最大化該PN接面半導體基板的每單位面積的電輸出。為了此目的，在大量減少光反射的同時必須盡可能高地增加光吸收。 在考慮上述的情況下，用以製造PN接面型半導體基板的用於太陽能電池的矽晶圓表面具有微金字塔結構，以形成抗反射薄膜。形成在該矽晶圓表面上的微金字塔結構，如第1圖所示，包括由在單個頂點會合的四個三角形面S以及矩形底部B所形成的四邊形金字塔。一般而言，如第2圖中所示，該微金字塔的面S1為三角形形式，其中在基部b1會合以形成該底部的兩個側邊c11以及c12是從該頂點a1的直線。這種具有微金字塔結構的矽晶圓減少了在其表面具有較寬波長帶的入射光反射，以增加所吸收光的強度，因此改進了太陽能電池的效率。此外，太陽能電池的效率可藉由再檢查微金字塔結構而進一步提高。
    因此，本發明的一個目標是提供一種具有特定結構的單晶矽晶圓，以大大地減少光反射，同時最大化陽光吸收。本發明的另一個目標是提供一種簡單製備具有微金字塔結構的單晶矽晶圓，而不使用蝕刻罩的方法。為了完成上述目標，本發明提供了下述。（1）一種具有表面的單一矽晶圓，該表面上重複形成了金字塔，該金字塔具有從該金字塔的頂點延伸至其底部的曲面。（2）根據上述第（1）項所述的晶圓，該曲面為朝向該金字塔中心的中凸曲面。（3）根據上述第（1）項所述的晶圓，不使用蝕刻罩來製備該晶圓。（4）根據上述第（1）項所述的晶圓，該金字塔的面以及上述金字塔旁的另一個金字塔的面一起產生形狀，且該形狀的垂直區段具有尖端。（5）根據上述第（1）項所述的晶圓，使用蝕刻組成物來紋理蝕刻該晶圓。（6）根據上述第（5）項所述的晶圓，該蝕刻組成物包含0.1至20重量％的鹼性化合物以及80至99.9重量％的水。（7）根據上述第（6）項所述的晶圓，該鹼性化合物為選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、四羥甲基銨以及四羥乙基銨所組成的群組的至少其中之一。（8）根據上述第（6）項所述的晶圓，該蝕刻組成物更包含10-6至10重量％的環狀化合物，該環狀化合物含有鍵結至官能基的氮原子，該官能基包括具有2至6個碳原子的烯烴基。（9）根據上述第（8）項所述的晶圓，該環狀化合物為選自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N’-甲基哌嗪、N-丙烯醯基哌嗪、N-丙烯醯基-N’-甲基哌嗪、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基甲基嗎啉、N-乙烯基乙基嗎啉、N-丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯醯基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯醯基咔唑所組成的群組的至少其中之一。（10）根據上述第（6）項所述的晶圓，該蝕刻組成物更包含至少一多醣，該多醣選自聚葡萄糖化合物、聚果糖化合物、聚甘露糖化合物、聚半乳糖化合物以及其金屬鹽類所組成的群組。（11）一種製備單晶矽晶圓的方法，包含：藉由塗佈蝕刻組成物而不使用蝕刻罩來紋理蝕刻該單晶矽晶圓的表面，以使金字塔能被重複形成在該單晶矽晶圓的表面上，其中每個金字塔具有從該金字塔的頂點延伸至底部的曲面。（12）根據上述第（11）項所述的方法，該曲面朝向該金字塔的中心而中凸地彎曲。（13）根據上述第（11）項所述的方法，該蝕刻組成物包含0.1至20重量％的鹼性化合物以及80至99.9重量％的水。（14）根據上述第（11）項所述的方法，該鹼性化合物為選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、四羥甲基銨以及四羥乙基銨所組成的群組的至少其中之一。（15）根據上述第（13）項所述的方法，該蝕刻化合物更包含10-6至10重量％的環狀化合物，該環狀化合物含有鍵結至官能基的氮原子，該官能基包括具有2至6個碳原子的烯烴基。（16）根據上述第（15）項所述的方法，該環狀化合物為選自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N'-甲基哌嗪、N-丙烯醯基哌嗪、N-丙烯醯基-N'-甲基哌嗪、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基甲基嗎啉、N-乙烯基乙基嗎啉、N-丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯醯基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯醯基咔唑所組成的群組的至少其中之一。（17）根據上述第（13）項所述的方法，該蝕刻組成物更包含選自聚葡萄糖化合物、聚果糖化合物、聚甘露糖化合物、聚半乳糖化合物以及其金屬鹽類所組成的群組的至少其中之一。因此，本發明的單晶矽晶圓具有包括多個微金字塔的表面，每個微金字塔具有曲面，以顯著地增加陽光吸收，同時大大地減少光反射，藉此提高光轉換效率。此外，根據本發明製備單晶矽晶圓的方法能夠形成具有曲面的多個微金字塔結構，而不使用替代性的蝕刻罩，因此達成極佳的生產力。
    本發明揭露了一種能夠最大化陽光吸收，同時大大地減少光反射以進一步增加光轉換效率的單晶矽晶圓，以及製備該單晶矽晶圓的方法。此後，將參照伴隨的圖式而更具體地描述本發明。參照第1圖，在此揭露內容中的金字塔意指配置有矩形底部B以及在頂點會合的四個三角形面S的四邊形圓椎體。本發明的單晶矽晶圓的特徵在於具有在該晶圓表面上重複形成的金字塔，其中每個金字塔具有從其頂點至底部的曲面。更具體而言，如第3圖中所示，金字塔的面S2具有從頂點a2延伸，然後在基部b2會合以形成底部的兩個側邊c21以及c22，其中該側邊c21以及c22不是直線而為曲線。因此，該面S2變成曲面。形成金字塔一個面的兩個側邊c21以及c22可彼此相同或不同。也就是說，當沿著垂直於基部b2的中心線L從頂點a2劃分該面時，該面分開的兩個部分可變成彼此相同（第3a圖）或不同（第3b圖）。更佳的是，如第6圖中所示，形成在金字塔的面以及鄰接金字塔的面之間的形狀的垂直區段可具有尖端d。參照第6圖，其為說明本發明金字塔的垂直截面圖，該尖端d可為由金字塔的側邊c21以及與其鄰接的另一個金字塔的側邊c22所形成的切線上的點。如第6（a）圖中所示，這種尖端可存在於單晶矽晶圓的表面上。或者，如第6（b）圖中所示，如果之間具有不對稱關係的兩個金字塔的切線存在於該單晶矽晶圓的表面上方，該尖端可位在該單晶矽晶圓的表面上方。由於具創造性的晶圓具有第6圖中所示例的這種結構，可進一步增加光轉換效率的改進。可使用蝕刻組成物以直接蝕刻物體來提供本發明的金字塔結構，而不使用任何蝕刻罩。在使用這種蝕刻罩的例子中，金字塔與另一個金字塔會合的部分不可避免地形成了曲面，以因此無法得到具有該尖端的重複的金字塔結構。金字塔的面可為朝向該金字塔中心的中凸曲面。此外，在用以形成金字塔的四個面之中的至少其中之一可如上述彎曲。如第4圖中所示，重複的金字塔結構的形成意指，如上述所形成的多個金字塔被放置在晶圓的表面上。更特別的是，在以複數形成具有從其頂點延伸至底部的面的金字塔的條件下，除了具有相同形狀的多個金字塔之外，本發明的重複金字塔結構可包括具有混合在一起的不同形態的多個金字塔（即，如第3（a）以及3（b）圖所示的金字塔，具有不同大小的金字塔L，等等）。重複的金字塔不需要以相對於晶圓表面積的預定比例來佔據面積。然而為了促成最大化的陽光吸收以及光反射的減少，該重複金字塔可佔據至少50％、較佳為至少70％的晶圓表面積。重複的金字塔不一定包括每單位面積固定數量的金字塔。然而，為了促成最大化的陽光吸收以及光反射的減少，具有大約數奈米大小的微金字塔是較佳的。例如，形成在單晶矽晶圓表面上大約70％或更多的金字塔可具有1至6μm的平均大小。在本文中，該金字塔的平均大小意指從金字塔的頂點延伸至底部的垂直線的長度。如上所述，在根據本發明的單晶矽晶圓表面上重複形成金字塔的過程的特徵可在於不使用任何蝕刻罩，其中該金字塔具有從其頂點延伸至底部的曲面。根據本發明不使用蝕刻罩的一個具體實施例，單晶矽晶圓可具有藉由使用鹼性蝕刻溶液來紋理蝕刻而形成在其表面上的微金字塔結構。本發明的蝕刻組成物可包含0.1至20重量％的鹼性化合物以及80至99.9重量％的水。或者，蝕刻溶液可更包含環狀化合物，該環狀化合物含有鍵結至官能基的氮原子，該官能基包括具有2至6個碳原子的烯烴基。鹼性化合物是一種用以蝕刻結晶矽晶圓表面的成分，且其類型或種類不特別受限。例如，此化合物可包括氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、四羥甲基銨、四羥乙基銨，等等。在這些之中，氫氧化鉀以及氫氧化鈉是較佳的。這些化合物可被單獨或以其二或更多個組合使用。相對於總共100重量％的蝕刻組成物，鹼性化合物可以0.1至20重量％、且更佳為1至5重量％的量被包含於其中。當上述化合物的含量在上述範圍內時，可成功地蝕刻矽晶圓的表面。環狀化合物是一種用以控制作為矽晶方向的Si100以及   Si111方向之間蝕刻率差異的成分，且因此可調節金字塔的形狀，因此使該金字塔能夠具有根據本發明的曲面，該環狀化合物含有鍵結至官能基的氮原子，該官能基包括具有2至6個碳原子的烯烴基。本發明中所使用的環狀化合物可包括，例如，N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N’-甲基哌嗪、N-丙烯醯基哌嗪、N-丙烯醯基-N’-甲基哌嗪、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基甲基嗎啉、N-乙烯基乙基嗎啉、N-丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯醯基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑、N-丙烯醯基咔唑或諸如此類，其可被單獨或以其二或更多個組合使用。相對於總共100重量％的蝕刻組成物，環狀化合物可以  10-6至10重量％、且更佳為10-3至1重量％的量而被包含於其中。當上述環狀化合物的含量在上述範圍內時，可有效地進改矽晶圓表面的可濕性，因此最小化紋理品質的偏差，並能夠輕易形成具有與相關技術領域中所述者不同的形狀的微金字塔。如果該含量超過10重量％，會難以控制矽晶方向的蝕刻率的差異，因此導致難以形成想要的微金字塔。該蝕刻組成物可更包括多醣。多醣是一種經由二或更多個單醣的醣苷鍵而產生大分子的糖類，且是一種預防被鹼性化合物過度蝕刻以及蝕刻加速的成分，以製備均勻的微金字塔，且同時快速地從矽晶圓表面移除由蝕刻產生氫氣泡，以藉此改進該金字塔的外觀。多醣可包括，例如，聚葡萄糖化合物、聚果糖化合物、聚甘露糖化合物、聚半乳糖化合物或其金屬鹽類。在這些之中，該聚葡萄糖化合物以及其金屬鹽類是較佳的。這些可被單獨或以其二或更多個組合使用。該聚葡萄糖化合物可包括，例如；纖維素、二甲基胺基乙基纖維素、二乙基胺基乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、甲基羥乙基纖維素、4-胺基苯甲基纖維素、三乙基胺基乙基纖維素、氰基乙基纖維素、乙基纖維素、甲基纖維素、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基纖維素、藻酸、直鏈澱粉、支鏈澱粉、果膠、澱粉、糊精、α-環糊精、β-環糊精、γ-環糊精、羥丙基-β-環糊精、甲基-β-環糊精、類糊精、類糊精硫酸鈉、皂素、肝糖、酵母聚糖、香菇多糖、裂褶菌多糖或其金屬鹽類，以及諸如此類。多醣可具有5,000至1,000,000、且更佳為50,000至200,000的平均分子量。相對於總共100重量％的蝕刻組成物，多醣可以10-9至10重量％、且更佳為10-6至1重量％的量被包含於其中。如果多醣的含量在上述範圍內，可有效地預防過度蝕刻以及蝕刻加速。如果該含量超過10重量％，會大大地減少鹼性化合物的蝕刻率，因此導致難以形成想要的微金字塔。或者，根據本發明用於結晶矽晶圓的紋理蝕刻組成物可更包括界面活性劑、脂防酸以及其鹼性金屬鹽類、含有二氧化矽的化合物或諸如此類的至少其中之一。本發明中所使用的水的種類不特別受限，但可包括去離子蒸餾水，且更佳為用於半導體製程的去離子蒸餾水，其具有等於或大於18MΩ/cm的特定電阻。水可作為總共100重量％的結晶蝕刻組成物的剩餘部分而被包含於其中。水的種類不特別受限，但可包括去離子蒸餾水，更佳為用於半導體製程的去離子蒸餾水，其具有等於或大於18MΩ/cm的特定電阻。藉由使用如上所述而製備的蝕刻組成物來處理單晶矽晶圓的製程，其包括浸泡、噴灑、或浸泡以及噴灑，該晶圓的表面可具有包括微金字塔的結構。浸泡或噴灑程序的次數不特別受限，且在執行浸泡以及噴灑的例子中，它們的操作順序也不受限。此外，可在50至100℃的溫度下執行浸泡、噴灑或浸泡以及噴灑階段達30秒至60分鐘。在此例子中，可使用浸泡、噴灑或單一晶圓類型蝕刻製程。在本文之後，將參考範例以及比較性範例來描述較佳的具體實施例，以更具體地了解本發明。然而，本領域的技術人員將領略到，這種具體實施例被提供用於示例的目的，且不限制如詳細描述以及附帶申請專利範圍中所揭露將受保護的主題。因此，對於本領域的技術人員而言顯而易見的是，具體實施例的各種改變以及修飾是可能的，而不悖離本發明的範圍以及精神，且被充分地包括在如附帶申請專利範圍所定義的範圍內。範例範例1將2重量％的氫氧化鉀（KOH）、0.1重量％的N-乙烯基吡咯烷酮、0.02重量％的藻酸鈉（AANa）以及作為剩餘部分的去離子蒸餾水混合在一起以製備蝕刻組成物。在80℃下藉由將單晶矽晶圓基板浸泡在所製備的蝕刻組成物中達20分鐘，以完成紋理蝕刻。 比較性範例1將2重量％的氫氧化鉀、0.1重量％的N-甲基吡咯烷酮、0.02重量％的藻酸鈉（AANa）以及作為剩餘部分的去離子蒸餾水混合在一起以製備蝕刻組成物。在80℃下藉由將單晶矽晶圓基板浸泡在所製備的蝕刻組成物中達20分鐘，以完成紋理蝕刻。示範性範例根據下述程序，決定上述範例以及比較性範例中紋理蝕刻的矽晶圓基板的物理特性，且其結果示於下面表1中。（1）微金字塔的形態學使用掃瞄式電子顯微鏡（SEM）來確認形成在每個單晶晶圓基板表面上的微金字塔結構的形態學。（2）紋理均勻性使用數位相機、3D光學顯微鏡以及SEM來視覺觀察形成在單晶矽晶圓基板表面上的微金字塔結構的偏差，即均勻性，且基於下述標準來評估其結果。<評估標準>◎：在整個晶圓基板上形成金字塔○：金字塔不存在於部分的晶圓基板上（非金字塔部分少於該晶圓基板的5％）△：金字塔不存在於部分的晶圓基板上（非金字塔部分的範圍為該晶圓基板的5至50％）×：在大部分的晶圓基板上不形成金字塔（非金字塔部分等於或多於該晶圓基板的90％）（3）反射（％）使用UV光譜儀將每個單晶矽晶圓基板進行光反射，其中具有600 nm的波長的光用以照射表面。第4以及5圖為SEM照片，以分別顯示出範例1以及比較性範例1中紋理蝕刻的單晶矽晶圓基板的表面。更特別的是，可看到的是，範例1中所形成的微金字塔具有兩個從其頂點延伸並在其底部會合的彎曲側邊，即，導致曲面，其接著具有小且均勻的大小。另一方面，可以看到的是，比較性範例1中所形成的微金字塔具有兩個從其頂點延伸並在其底部會合的直側邊，即，提供了平面，其相對於範例1中所製備者具有較大的大小。簡而言之，根據本發明的單晶矽晶圓可最大化陽光吸收，同時基於上述微金字塔的形態學中的差異而進一步減少光反射。 如上面表1所示，相較於比較性範例1中所製備的基板，根據本發明的範例1中所製備的單晶矽晶圓基板，其中每個具有曲面的多個微金字塔被形成在該微金字塔的表面上，展現了極佳的微金字塔紋理均勻性。此外，所確認的是，由於微金字塔的形狀，光反射比比較性範例1中的光反射還低。因此，本發明可達成光轉換效率的改進。
    a1、a2．．．頂點
    B．．．矩形底部
    b1、b2．．．基部
    c11、c12．．．側邊
    c21、c22．．．金字塔的側邊
    d．．．尖端
    L．．．中心線
    S．．．四個三角形面
    S1．．．微金字塔的面
    S2．．．金字塔的面
    從下述詳細的描述，結合伴隨的圖式，將更清楚地了解本發明的上述以及其他的目標、特徵與其他優勢，其中：第1圖是說明形成在傳統單晶矽晶圓表面上的微金字塔的透視圖；第2圖是說明形成在傳統單晶矽晶圓表面上的微金字塔面的截面圖；第3圖是說明形成在根據本發明的單晶矽晶圓表面上的微金字塔面的截面圖；第4圖是顯示，形成在根據本發明一個具體實施例的矽晶圓表面上的微金字塔的（a）表面以及（b）截面的SEM照片；第5圖是顯示，形成在傳統矽晶圓表面上的的微金字塔的（a）表面以及（b）截面的SEM照片；以及第6圖是說明兩種不同金字塔的垂直截面圖，該兩種不同的金字塔在彼此旁邊，並形成在根據本發明一個具體實施例的矽晶圓表面上。
    c21、c22．．．金字塔的側邊
    d．．．尖端
    权利要求:
    Claims (17)
    [1] 一種具有一表面的單一矽晶圓，在該表面上重複形成具有一曲面的一金字塔，該曲面從該金字塔的一頂點延伸至底部。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽晶圓，其中該曲面是朝向該金字塔中心的一中凸曲面。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽晶圓，其中不使用一蝕刻罩來製備該晶圓。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽晶圓，其中該金字塔的一面以及上述金字塔旁的另一個金字塔的一面一起產生一形狀，且該形狀的一垂直區段具有一尖端。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述的單晶矽晶圓，其中使用一蝕刻組成物來紋理蝕刻該晶圓。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述的單晶矽晶圓，其中該蝕刻組成物包含0.1至20重量％的一鹼性化合物以及80至99.9重量％的水。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述的單晶矽晶圓，其中該鹼性化合物為選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、四羥甲基銨以及四羥乙基銨所組成的群組的至少其中之一。
    [8] 如申請專利範圍第6項所述的單晶矽晶圓，其中該蝕刻組成物更包含10-6至10重量％的一環狀化合物，該環狀化合物含有鍵結至一官能基的一氮原子，該官能基包括具有2至6個碳原子的一烯烴基。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述的單晶矽晶圓，其中該環狀化合物為選自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N’-甲基哌嗪、N-丙烯醯基哌嗪、N-丙烯醯基-N’-甲基哌嗪、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基甲基嗎啉、N-乙烯基乙基嗎啉、N-丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯醯基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯醯基咔唑所組成的群組的至少其中之一。
    [10] 如申請專利範圍第6項所述的單晶矽晶圓，其中該蝕刻組成物更包含至少一多醣，該多醣選自一聚葡萄糖化合物、一聚果糖化合物、一聚甘露糖化合物、一聚半乳糖化合物以及其金屬鹽類所組成的群組。
    [11] 一種製備一單晶矽晶圓的方法，包含：藉由應用一蝕刻組成物而不使用一蝕刻罩來紋理蝕刻該單晶矽晶圓的一表面，以能夠讓金字塔被重複形成在該單晶矽晶圓的該表面上，其中每個金字塔具有從該金字塔的一頂點延伸至底部的一曲面。
    [12] 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該曲面朝向該金字塔的中心而中凸地彎曲。
    [13] 如申請專利範圍第11項所述的方法，其中該蝕刻組成物包含包含0.1至20重量％的一鹼性化合物以及80至99.9重量％的水。
    [14] 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中該鹼性化合物為選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、四羥甲基銨以及四羥乙基銨所組成的群組的至少其中之一。
    [15] 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中該蝕刻組成物更包含10-6至10重量％的一環狀化合物，該環狀化合物含有鍵結至一官能基的一氮原子，該官能基包括具有2至6個碳原子的一烯烴基。
    [16] 如申請專利範圍第15項所述的方法，其中該環狀化合物為選自N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基甲基哌嗪、N-乙烯基乙基哌嗪、N-乙烯基-N’-甲基哌嗪、N-丙烯醯基哌嗪、N-丙烯醯基-N’-甲基哌嗪、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基甲基嗎啉、N-乙烯基乙基嗎啉、N-丙烯醯基嗎啉、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基甲基哌啶酮、N-乙烯基乙基哌啶酮、N-丙烯醯基哌啶酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基甲基吡咯烷酮、N-乙烯基乙基-2-吡咯烷酮、N-丙烯醯基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑以及N-丙烯醯基咔唑所組成的群組的至少其中之一。
    [17] 如申請專利範圍第13項所述的方法，其中該蝕刻組成物更包含選自一聚葡萄糖化合物、一聚果糖化合物、一聚甘露糖化合物、一聚半乳糖化合物以及其金屬鹽類所組成的群組的至少其中之一。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    KR20120135870A|2012-12-17|
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    KR20110054569||2011-06-07||
    KR1020120059142A|KR20120135870A|2011-06-07|2012-06-01|단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법|
    KR1020120059966A|KR101896619B1|2011-06-07|2012-06-04|단결정 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법|
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